集成电路应用杂志社

摘要：阐述一种具有优化阈值电压的沟槽栅场截止型逆导式绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）器件结构及制造方法。通过设计横跨栅极和源极的大尺寸接触孔（CT开孔），有效降低接触孔的深宽比，简化了工艺流程，同时减少栅极氧化层面积，从而抑制电子辐照引发的阈值电压漂移，提升器件的抗辐照能力。

关键词： 集成电路;逆导式IGBT;阈值电压优化;电子辐照;反向恢复能量;

DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.11.021

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN322.8