集成电路应用杂志社

摘要：阐述采用NE-550电感耦合等离子（ICP）刻蚀装置，针对p-GaN刻蚀过程中所用的SiO2掩膜刻蚀开展实验探究。在实验中，选用光刻胶作为掩膜材料，并选用SF6作为刻蚀气体。通过系统地调节各项工艺参数，深入分析各项参数对SiO2刻蚀速率及其选择比的具体影响。最终选择了最优的工艺参数，刻蚀出侧壁角度较好，底部平整，对下层材料低损伤的平台结构。

关键词： GaN基HEMT;电感耦合等离子体(ICP)刻蚀;SiO2掩膜;低损伤;

DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.11.018

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN386